[发明专利]一种设有量子自旋电子层的半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310079263.5 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116154615A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;马斯特;张江勇;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/10 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 林弘毅 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种设有量子自旋电子层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有量子自旋电子层；量子自旋电子层具有较强的超导性和铁磁性，抑制折射率色散和散射，提升模式增益，同时，量子自旋电子层存在边缘导电通道，产生无损自旋极化电流注入，提升电子和空穴的输动和注入效率，增强有源层电子空穴波函数的交叠几率和电子空穴的对称性匹配性，提升增益均匀性，加速激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 量子 自旋 电子层 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
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