[发明专利]一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法在审
| 申请号： | 202310081116.1 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116191202A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 张英杰;李勇;金运姜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;C30B25/18;C30B25/16;C30B29/40;C30B25/10 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 高棋 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于分子束外延的InGaAs分层线性渐变异变缓冲层的外延方法，包括以下步骤：S1：确定具体In组分总的变化范围和In线性变化的总厚度，并依据In组分的变化速率计算出回退层的回退组分；S2：将InGaAs线性渐变缓冲层进行分层设计，确定整个分层的厚度；S3：确定In组分在实际外延后的数值，根据实际外延后的数值调整步骤S2中In组分和厚度；S4：确定InGaAs各渐变分层的生长速率；S5：根据分层的厚度和InGaAs各渐变分层的生长速率，外延InGaAs分层线性渐变的异变缓冲层。本发明实现了In |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 分子 外延 ingaas 分层 线性 渐变 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
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