[发明专利]水平环绕式栅极元件纳米线气隙间隔的形成在审
| 申请号： | 202310083382.8 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116110941A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孙世宇;纳姆·孙·基姆;邴希·孙·伍德;吉田娜奥米;龚盛钦;金苗 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容提供一种使用期望材料形成用于半导体晶片的水平环绕式栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的设备与方法。一个范例中，一种形成纳米线结构的方法包括将介电材料沉积在堆叠的第一侧与第二侧上。堆叠可包括重复多对的第一层与第二层。第一侧与第二侧相对，且第一侧与第二侧具有形成于第一侧与第二侧中的一个或多个凹部。该方法包括从堆叠的第一侧及第二侧移除介电材料。介电材料保留在一个或多个凹部中。该方法包括沉积应力源层及在应力源层与堆叠的第一侧及所述第二侧之间形成一个或多个侧隙。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 环绕 栅极 元件 纳米 线气隙 间隔 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310083382.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
