[发明专利]一种C字形阳极Micro-LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310086837.1 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN116111023A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 任开琳;吴壮;殷录桥;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种C字形阳极Micro‑LED器件及其制备方法，涉及Micro LED显示技术领域，本发明在常规垂直型Micro‑LED器件基础上，在PGaN侧壁挖去一块沉积钝化层后，沉积金属电极从而形成C字形阳极。利用水平方向电极平衡侧壁电场，也就是抑制由侧壁陷阱引起的横向电场，进而增大Micro‑LED器件量子阱单位尺寸上的辐射复合率积分，抑制由侧壁陷阱引起的辐射复合率随尺寸减小而降低的现象，即抑制Micro‑LED器件的小尺寸效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 字形 阳极 micro led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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