[发明专利]一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路在审
| 申请号： | 202310089752.9 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN115985367A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 林弥;徐超;饶历;张贵鹏;周张志;王煜博 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C16/04;G06F30/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路，包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2、第一NMOS晶体管T3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一压控开关S1、第一与非门NAND、第一运算放大器OP1、第一比较器COMP1，模拟食物信号输入端Vfood、模拟铃声信号输入端Vring、第一定值电压V1、第二定值电压V2、第一比较电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 联想 记忆 功能 仿生 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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