[发明专利]栅极的制作方法在审
| 申请号： | 202310090289.X | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116093145A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙娟;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种栅极的制作方法，包括在多晶硅层的刻蚀形成栅极后，进行第一次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的原生氧化物，进行第二次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的条纹形貌。本发明栅极刻蚀后增加两步各向同性刻蚀，通过控制两步各向同性刻蚀的刻蚀参数，避免栅极侧壁出现条纹现象，进而改善栅极侧壁形貌，提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
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