[发明专利]存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310092488.4 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116075155A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 夏鹏;高超;卞仙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储器件及其制作方法，在栅极刻蚀工艺中省略硬掩膜层的沉积，并通过更换栅极光刻过程中采用的光阻类型，增加光阻的厚度，优化栅极刻蚀工艺的参数，在保证存储器件性能不变的情况下，节省一道硬掩膜层沉积工艺，节约生产成本。进一步的，本发明在栅极刻蚀工艺中省略硬掩膜层沉积，可以使外围电路区域中的栅极的边界与存储单元区域的边界重合，减少存储单元阵列周围的STI宽度，有效减少存储单元阵列的面积，增加平台产品的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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