[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管有效
| 申请号： | 202310092509.2 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115775853B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P‑GaN层和欧姆接触层，所述欧姆接触层包括依次层叠的MgGaN层、AlScN层和P‑InGaN层；所述MgGaN层中Mg的掺杂浓度≥4×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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