[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310097643.1 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116169139A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 吴健 | 申请（专利权）人： | 上海鼎泰匠芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L21/8248 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底；第一阱区，位于基底内；第一体区，位于第一阱区内；第二体区，位于基底内，与第一体区间隔设置，且至少部分位于第一阱区内；第二阱区，位于第一阱区内，且位于第一体区与第二体区之间，与第一体区间隔设置；多个欧姆接触区，位于基底内，在第一方向上，至少部分欧姆接触区位于第一体区、第二体区、第一阱区和第二阱区内；其中，第二阱区与位于第二阱区内的欧姆接触区作为结型场效应晶体管的漏极区和NPN的集电极区。实现了NPN区域与结型场效应晶体管区域相互重叠，NPN和结型场效应晶体管共用部分结构以缩小整体半导体结构的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
