[发明专利]存储器件在审
| 申请号： | 202310098689.5 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN115915906A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;李斗荣;李承垠 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 李兴福;刘芳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极，在磁隧道结和覆盖层之间形成扩散阻挡层。并且，本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极。种子层由使合成交换半磁性层向面心立方结构(111)方向形成的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，磁隧道结包括形成于两个自由层之间的插入层，分离层、插入层及覆盖层的至少一个由体心立方结构的物质形成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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