[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法在审
| 申请号： | 202310104007.7 | 申请日： | 2023-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN116110720A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06;H10B53/30 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 江中秀 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铪基铁电 薄膜 电容 性能 优化 方法 | ||
【主权项】：
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