[发明专利]改善器件铝穿通及阈值电压收敛性的方法在审
| 申请号： | 202310105176.2 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN116169098A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 谭林;邹野;王开树;吴坚;谭建兵 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善器件铝穿通及阈值电压收敛性的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构形成有接触孔；利用第一直流磁控溅射和腔体侧壁电磁场的同时作用以于所述接触孔的底部及侧壁形成第一阻挡层；利用第二直流磁控溅射和腔体侧壁电磁场的同时作用以于所述第一阻挡层的表面形成第二阻挡层；利用反溅射工艺对形成于所述接触孔底部的所述第二阻挡层进行反溅射，以减薄形成于所述接触孔底部的所述第二阻挡层的厚度，并增加形成于所述接触孔侧壁的所述第二阻挡层的厚度。通过本发明解决了以现有的形成金属阻挡层的方法易导致器件发生铝穿通，且阈值电压收敛性不好的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 器件 铝穿通 阈值 电压 收敛性 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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