[发明专利]半导体晶粒在审
| 申请号： | 202310112186.9 | 申请日： | 2023-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN116454049A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张任远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本揭露提供一种半导体晶粒。该半导体晶粒包括：一硅基板；一接合层，其形成于该硅基板的一背侧处且包括一第一金属衬垫；一多层互连(MLI)结构，其形成于该硅基板的一前侧处；一第一直通硅通道(TSV)，其在一垂直方向上穿透该硅基板及该MLI结构的至少一部分，其中该第一TSV的一第一末端与该第一金属衬垫接触且电连接至该第一金属衬垫，且该第一TSV的一第二末端电连接至定位于该MLI结构中的一第一金属迹线；及该MLI结构中形成的一第一保护环，其中该第一保护环在该垂直方向上延伸且包围该第一TSV，且该第一保护环电连接至该第一金属迹线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 | ||
【主权项】：
暂无信息
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