[发明专利]一种设有拓扑相变层的半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310116518.0 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN116526295A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李水清;王星河;蒙磊;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/32;H01S5/34;H01S5/20 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 武光勇 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种设有拓扑相变层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，衬底(100)与下限制层(101)之间设有拓扑相变层(107)；拓扑相变层在可产生从无序顺电相与有序铁电相的过渡与转变，增强双磁子散射效应，形成1800以上Qe的巨大共振偏移量，增强磁电应力耦合效应，缓解激光元件的压电极化和热应力失配，降低价带带阶，提升载流子注入有源层的均匀性，改善增益均匀性，同时，诱导自旋相变，产生巨大的自旋序控制的磁电耦合系数，在电场作用下连续性可逆地调控磁致应力，进一步降低压热应力失配，抑制应力双折射现象，改善激光光束的去极化和失真。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 拓扑 相变 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
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