[发明专利]一种基于γ-InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用

摘要

本发明属于宽谱偏振光探测领域，公开了一种基于γ‑InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，所述混维异质结的光电二极管的结构为漏电极/InSe/Ge垂直异质结/源电极；该光电二极管是先在Ge衬底上沉积SiO2介质层，利用光刻和刻蚀在SiO2介质层上获得Ge窗口，随后光刻显影出电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极，再将InSe纳米片转移至Ge窗口上形成InSe/Ge混维异质结，在惰性气体中100～150℃退火处理制得。该光电二极管在400～1600nm波长内具有优异的自驱动光响应和宽波段偏振光探测的性能，可用于超快宽谱探测，偏振光探测和近红外成像等领域。