[发明专利]一种抗惯性环境干扰的多维力MEMS传感器在审

专利信息
申请号: 202310117112.4 申请日: 2023-02-15
公开(公告)号: CN116296026A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 董林玺;武家澍;黄一马;刘超然;杨伟煌;颜海霞 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01L5/165 分类号: G01L5/165;B81B7/02;G01L1/14
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 王佳健
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种抗惯性环境干扰的多维力MEMS传感器。它包括基板、六轴力传感器和加速度计,所述的六轴力传感器为电容式测量原理,当受到外部力信号时,传感器的梳齿电容极板对之间的间距发生变化,从而改变电容值,最终反映力信号的大小。所述的加速度计亦为电容式测量原理,本发明利用所述加速度计的测量结果去校正六轴力传感器受到惯性作用时产生的干扰信号,经过校正后最终的结果即为消除了动态环境中惯性干扰的测量结果,从而实现精确测量。
搜索关键词: 一种 惯性 环境 干扰 多维 mems 传感器
【主权项】:
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