[发明专利]一种氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法在审
| 申请号： | 202310124047.8 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116219546A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李广敏;张华芹 | 申请（专利权）人： | 上海韵申新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 唐海波 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开发*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓晶体生长装置，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉设有中空反应腔体，所述反应腔体内设有坩埚和加热系统，所述晶体生长炉连接传动系统，所述传动系统包括籽晶提拉装置、加热系统升降装置，所述加热系统升降装置与所述加热系统连接，所述晶体生长炉连接有抽气系统、冷却系统、进气系统和排气系统，所述传动系统、加热系统、冷却系统、抽气系统、进气系统和排气系统分别与一控制系统连接。本发明还公开了一种氧化镓晶体的生长方法。本发明提供的一种氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法，能够满足高品质大尺寸氧化镓晶体的制备工艺流程，实现稳定，高品质的氧化镓晶体制品生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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