[发明专利]Si-SiC类复合结构体的制造方法在审
| 申请号： | 202310124177.1 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116768646A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 后藤空;久野修平;木村大辅;松叶浩臣 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社;NGK阿德列克株式会社 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;F28F21/00;C04B35/565;C04B41/85;C04B35/66;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够提高Si‑SiC类复合结构体的制造效率的Si‑SiC类复合结构体的制造方法。本发明的实施方式所涉及的Si‑SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，供给体的与成型体接触的接触部分为与成型体对置的面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | si sic 复合 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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