[发明专利]基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管在审
| 申请号： | 202310130385.2 | 申请日： | 2023-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN116322064A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 洪文晶;魏梦西;李晶;叶婧瑶 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/20 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于量子干涉效应调控机制的单分子富勒烯场效应晶体管，所述单分子富勒烯场效应晶体管是由第一导电介质－富勒烯分子－第二导电介质组成的单分子结，其中所述第一导电介质作为场效应晶体管的漏极，所述第二导电介质作为场效应晶体管的源极，通过栅极电压调控实现对单分子结的电导进行调控，从而控制漏极和源极之间的开启或关断。本申请验证了基于量子干涉效应调控机制的单富勒烯分子场效应晶体管器件的可行性，为碳基电子学在晶体管中的应用开拓了新的思路和方向。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 量子 干涉 效应 调控 机制 分子 富勒烯 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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