[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202310132291.9 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116613717A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 小岛正誉 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H7/20;H02M7/537 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王海奇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有：ESD保护电路，具备设置在信号端子和接地线之间的第一N沟道MOS晶体管；及控制电路，与所述信号端子电连接。其中，当高电平的信号被供给至所述信号端子时，所述控制电路将通过对所述信号的高电平电压进行降压而获得的第一电压输出到所述第一N沟道MOS晶体管的栅极，当由ESD引起的浪涌被输入至所述信号端子时，所述控制电路将低于所述第一电压的第二电压输出到所述第一N沟道MOS晶体管的所述栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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