[发明专利]碳化硅半导体装置在审
| 申请号： | 202310136110.X | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN116779639A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 松永慎一郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;周爽 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种碳化硅半导体装置，通过将空穴在沟槽的侧壁界面开始蓄积的栅极电压变更为高负电压，从而能够使用更高的负栅极电压，并能够防止开关时的误动作。碳化硅半导体装置(50)具备第一导电型的碳化硅半导体基板(1)、第一导电型的第一半导体层(2)、第二导电型的第二半导体层(6)、第一导电型的第一半导体区、沟槽(16)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的栅极电极(10)、覆盖沟槽(16)的底面的第二导电型的第二半导体区(3)、在相邻的沟槽16之间的第二导电型的第三半导体区(4)、第一电极(12)和第二电极(13)。第三半导体区(4)在未设置第一半导体区的有源区端部与沟槽(16)的侧壁分离而配置，并与第二半导体区(3)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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