[发明专利]半导体器件及其光刻方法在审
| 申请号： | 202310138745.3 | 申请日： | 2023-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN116313804A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈骆;刘彬;赵常宁;简兆镰;钟海波 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/027;H01L21/311;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人： | 刁益帆 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其光刻方法，涉及半导体技术领域。其中，本发明提供的半导体器件光刻方法包括：提供待光刻半导体；在介质层上涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行刻蚀，露出台阶及两台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除台阶两侧一段的介质层，保留台阶和沟槽中部的介质层，形成光刻图形；去除介质层上的负性光刻胶。该方法针对沟槽内光刻图形的制作，将原本的正性光刻胶替换为负性光刻胶，利用负性光刻胶曝光后固化而遮光后能够被刻蚀的特性来形成光刻图形，使得原本在光刻时需要较大曝光面积的沟槽降低曝光面积，避免光线在台阶侧壁或者说是沟槽的侧壁间造成反射，进而改善深沟槽内光刻图形的形貌，提升图形线宽的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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