[发明专利]一种晶圆重构方法在审
| 申请号： | 202310139412.2 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN116682749A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;张晓军;杨登亮;朱文献 | 申请（专利权）人： | 深圳市矩阵多元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 林坤华 |
| 地址： | 518131 广东省深圳市龙华区民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体封装技术领域，提供了一种晶圆重构方法，先将为半导体器件层、第一晶圆、蓝膜从上到下依次设置制得第一结构；第二晶圆粘接粘接体A制得第二结构；第三晶圆粘接粘接体B制得第三结构；粘接体B与晶片之间的附着力粘接体A与晶片之间的附着力晶片与蓝膜之间的附着力；第二结构与第一结构重合，施加压力后分离，晶片被转移至第二结构的粘接体A上，再将第二结构与第三结构重合，施加压力后分离，晶片被转移至第三结构的粘接体B上，完成晶圆重构，对位偏差小，偏移X轴＜1μm，偏移Y轴＜1μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆重构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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