[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202310151804.0 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116936563A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 白石信仁;森本康夫;船户是宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L23/522;H10N97/00;H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括被布置在层间介电膜上的多个电阻膜。多个电阻膜中的每一个在平面图中在第一方向上延伸。多个电阻膜在平面图中被布置成在与第一方向正交的第二方向上间隔开。多个电阻膜被划分成第一组、第二组和第三组。第一组在第二方向上位于第二组与第三组之间。属于第二组的多个第二电阻膜的每一个的第二宽度变化量和属于第三组的多个第三电阻膜的每一个的第三宽度变化量大于属于第一组的多个第一电阻膜中的每一个的第一宽度变化量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
