[发明专利]栅极边缘化IGBT芯片的制作方法及结构

摘要

本发明提供了一种栅极边缘化IGBT芯片的制作方法及结构，涉及半导体器件制造领域。制作方法包括步骤1：沉积发射极金属层和栅极金属层；步骤2：淀积钝化层；步骤3：进行刻蚀；步骤4：沉积第二金属层。由以上方法制作而成的结构，包括衬底，衬底上设有位于中部的有源区以及包围该有源区的终止区，IGBT芯片的发射极自有源区引出，有源区外侧设有IGBT芯片的栅极，栅极自终止区引出。本发明在相同的芯片面积下、增加了发射极所占有源区的面积，从而解决了现有的IGBT芯片结构中，栅极在有源区的面积占比限制了发射极所占有源区的面积大小，进而影响元胞的数量、从而影响IGBT芯片电流导通能力的问题。