[发明专利]一种低涡流损耗纳米晶高频变压器优化设计方法在审
| 申请号： | 202310154490.X | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116108721A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵鲁;刘学;葛琼璇;范恩泽;马呈瑶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 江亚平 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种低涡流损耗纳米晶高频变压器优化设计方法，包括有限元仿真确定大功率纳米晶高频变压器主要温升区域；在上述温升区域对纳米晶带材切槽，以阻断高频漏磁通在纳米晶带材表面感应的涡流回路，增大等效电阻，降低漏磁通涡流损耗；通过改变不同的切割层数，用有限元仿真验证了切割外层带材对涡流损耗的抑制作用。本发明在不明显改变纳米晶高频变压器体积和漏感的前提下，有效降低了磁芯涡流损耗，提高了能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 涡流 损耗 纳米 高频变压器 优化 设计 方法 | ||
【主权项】：
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