[发明专利]一种磁屏蔽设备磁导率的测量装置在审

专利信息
申请号: 202310161099.2 申请日: 2023-02-23
公开(公告)号: CN116413646A 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 丁志超;胡清平;姜鹏;刘文;开丽;张晓晖 申请(专利权)人: 中国人民解放军海军工程大学
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 代理人: 刘娅婷;张彩锦
地址: 430033 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种磁屏蔽设备磁导率的测量装置,包括亥姆霍兹线圈;磁力仪探头用于测量亥姆霍兹线圈通入电流前后其对称中心处的磁场Br和B1;数据处理机构用于计算自由空间中的亥姆霍兹线圈在其对称中心处产生的磁场B0,确定B1相比于B0的增强倍数κ0;再对磁屏蔽设备和亥姆霍兹线圈进行建模,得到自由空间中的亥姆霍兹线圈对称中心的磁场B2,计算磁屏蔽设备磁导率μ取不同值时,磁屏蔽设备中亥姆霍兹线圈对称中心的磁场B3相比于磁场B2的增强倍数κ;最后将κ相对于μ的变化数据进行插值拟合,根据拟合曲线提取κ=κ0时μ的值,从而完成对磁屏蔽设备磁导率的测量。本发明能实现对磁屏蔽设备磁导率的高精度测量。
搜索关键词: 一种 屏蔽 设备 磁导率 测量 装置
【主权项】:
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