[发明专利]一种DRAM存储系统性能模型的建模方法、终端及介质在审

专利信息
申请号: 202310163040.7 申请日: 2023-02-24
公开(公告)号: CN116107857A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 陈浩;宋莉莉;张祥建 申请(专利权)人: 成都视海芯图微电子有限公司
主分类号: G06F11/34 分类号: G06F11/34
代理公司: 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人: 阮建
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自由*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种DRAM存储系统性能模型的建模方法,方法包括:搭建最小访问系统;构造访存场景进行仿真,计算出访存场景下的利用率,整理生成利用率查找表;对查找表中的利用率进行建模做函数拟合,计算出函数系数,得到利用率与访存自变量的关系式;在访存场景下改变访存自变量,重新仿真得到新的利用率,利用新利用率进行建模做函数拟合处理,得到新的利用率与访存自变量的关系式,重复执行函数拟合得到多个自变量的利用率函数,预测真实访存场景时,采用利用率函数计算出多个预测利用率,把最小的利用率作为预测读或写利用率;根据理论性能除以预测读或写利用率得到访存场景下的预测性能值。该建模方法简单、快速且准确、适应性强。
搜索关键词: 一种 dram 存储系统 性能 模型 建模 方法 终端 介质
【主权项】:
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