[发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件在审
| 申请号： | 202310166882.8 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN116312683A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 元炯植;金台勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/408 | 分类号： | G11C11/408;G11C7/08;G11C11/4091;G11C11/56;G11C7/12;G11C11/4094;G11C7/06;G11C11/4099 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 电路 包括 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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