[发明专利]一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器在审

专利信息
申请号: 202310168443.0 申请日: 2023-02-27
公开(公告)号: CN115996582A 公开(公告)日: 2023-04-21
发明(设计)人: 杨盛谊;张珍衡 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H10K30/30 分类号: H10K30/30;H10K30/60;H10K85/50;H10K71/12;H10K71/40
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 张洁
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器,属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件技术领域。所述混合体异质结薄膜由稳定性优良的FA1‑xCsxSnBr3锡基钙钛矿材料和PVK混合而成,x的取值范围为0.05~0.2,FA1‑xCsxSnBr3和PVK的摩尔比为200:1~600:1。通过锡基钙钛矿材料FA1‑xCsxSnBr3与PVK混合,并通过优化其掺杂的摩尔比,最终得到了有利于光生载流子产生和传输的体异质结薄膜。PVK的引入不仅可以有效钝化FA1‑xCsxSnBr3薄膜表面的缺陷,还可进一步阻止水和氧气对锡(II)基钙钛矿FA1‑xCsxSnBr3的侵蚀。将本发明所述的混合体异质结薄膜作为锡基钙钛矿光电探测器的有源层制备的光电探测器具有优异的性能。
搜索关键词: 一种 ii 基钙钛矿 混合 体异质结 薄膜 制备 方法 光电 探测器
【主权项】:
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