[发明专利]一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法在审
申请号: | 202310169970.3 | 申请日: | 2023-02-27 |
公开(公告)号: | CN116230800A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 王兴;乔凯;尹飞;郭可飞;汪韬;李鸣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0304;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18;H01L27/144 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 倪金荣 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法,用于解决现有的单光子阵列探测器制备工艺复杂且防串扰隔离效果较差等技术问题。本阵列探测器包括衬底层、设置在衬底层上表面的外延层和设置在衬底层下表面的减反层;外延层包括自下而上依次生长的缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层;缓冲层靠近衬底层;帽层远离电荷层的一侧设有钝化层;钝化层上间隔均布多个第二电极窗口和多个第三电极窗口,每个第二电极窗口内侧设有像元阳极金属电极,每个第三电极窗口内侧设有隔离区电极;帽层与第二电极窗口外侧围成有源扩散区,与第三电极窗口之间围成扩散隔离区;扩散隔离区均为台阶结构,其深度与有源扩散区的深度相同。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 光子 阵列 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的