[发明专利]深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED有效
| 申请号： | 202310173554.0 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN115863503B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED，所述深紫外LED外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的Mg掺杂B |
||
| 搜索关键词： | 深紫 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310173554.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
