[发明专利]一种定点产生磁斯格明子的方法在审
| 申请号： | 202310173929.3 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116234415A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张军伟;徐琦;胡玥;姜泽;王楠;邓霞;朱柳;关超帅;彭勇 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 吕永齐 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明属于自旋电子技术领域，具体涉及一种定点产生磁斯格明子的方法。本发明通过聚光离子束增加磁性多层膜的无序度，降低垂直磁各向异性(PMA)，并通过离子束辐照产生人工缺陷，使其Pt、Co、Ta相混合形成合金，从而改变Dzyaloshinskii‑Moriya(DM)相互作用，使磁性多层膜定点产生磁斯格明子。磁性多层膜的薄膜界面Pt、Co、Ta混合层数与离子束辐照剂量有关，本发明可以通过调节离子束辐照剂量来调整磁斯格明子的密度。该方法不仅可应用于基础研究，还可应用于自旋电子器件，如基于磁斯格明子的赛道存储器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定点 产生 磁斯格 明子 方法 | ||
【主权项】：
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