[发明专利]一种碲锌镉晶体的生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 202310174154.1 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116163021A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黄晟;黄立;严冰;刘伟华;余志杰;喻畅 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 张腾 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长的技术领域，具体为一种用于提高碲锌镉晶体单晶率与质量的生长装置及生长方法。本发明提供了一种碲锌镉晶体的生长装置及生长方法，通过将双坩埚抽真空封管，有效地减小炉内气流造成坩埚外围不均性的不利影响。在碲锌镉晶体的外围配置石墨圈，且石墨圈包围晶体材料的等径区域，对碲锌镉晶体材料进行均匀加热辐射，进一步提升了晶体生长过程中的均匀性，另外，可使碲锌镉晶体生长的固液形状平坦化，更有利于大单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲锌镉 晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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