[发明专利]一种低开销抗辐射存储单元版图结构在审

专利信息
申请号: 202310175378.4 申请日: 2023-02-27
公开(公告)号: CN116249341A 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 郑涛;任荣康;李建成;陆时进;刘琳;赵佳;黄新壮;刘晨静;刘劭璠;刘佳林 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H10B10/00 分类号: H10B10/00;G11C11/413;G11C7/24;H01L27/02;H01L29/06
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 刘秀祥
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种低开销抗辐射存储单元版图结构,由两块半边基本单元版图模块拼接组成;每个半边基本单元版图模块中:第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧;第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴;N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间;第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧;第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴;两个第一上拉管版图结构连接,两个第一传输管和下拉管版图结构连接;两个第二上拉管版图结构连接;两个第二传输管和下拉管版图结构连接;两块半边基本单元版图模块位置紧贴。本发明减少了版图面积消耗,增强抗辐射性能的效果。
搜索关键词: 一种 开销 辐射 存储 单元 版图 结构
【主权项】:
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