[发明专利]LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310175384.X | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN115863439A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王南杰 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件包括基底、栅氧化层、多晶硅栅以及场板结构。其中，基底具有源区、漏区、沟道区以及漂移区。栅氧化层设置在基底上。多晶硅栅设置在栅氧化层上。场板结构设置在栅氧化层上。场板结构包括依次层叠设置的场板介质层、多晶硅层以及第一晶化层，场板介质层位于栅氧化层和多晶硅层之间，第一晶化层的材料为钴硅化合物。上述LDMOS器件形成多晶硅层以及第一晶化层作为上极板，形成场板电容，使漂移区进行耗尽，可以获得较低的Rsp以及Qgd。场板结构可以采用柱状的接触孔，能够大幅降低接触孔光刻、蚀刻的工艺难度，场板结构的横向尺寸也可以做得更大，从而能够增加场板的电容。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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