[发明专利]一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法在审
| 申请号： | 202310175668.9 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116465912A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 尹君;叶晓芳;康闻宇;姜伟;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01N23/046 | 分类号： | G01N23/046 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 陈淑娴;张松亭 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 质量 快速 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
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