[发明专利]一种功率器件终端结构及制作方法在审
| 申请号： | 202310177426.3 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116230561A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王小文;陈开宇 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/14;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L23/13 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件终端结构及制作方法，该方法包括：提供碳化硅基衬底，碳化硅基衬底包括有源区和终端区；于终端区中形成环状沟槽；于终端区上依次形成场氧层和层间介质层；于碳化硅基衬底上形成覆盖层间介质层的钝化层，钝化层填充入环状沟槽中；于钝化层上形成保护层，保护层覆盖钝化层并延伸至终端区中远离有源区的一侧与碳化硅基衬底的上表面连接。本发明中于SiC衬底的终端区设置环状沟槽，提高了SiC表面粗糙度，进而提高钝化层/保护层与SiC衬底之间的粘附能力，有效避免SiC器件由于高温热膨胀不匹配而发生的钝化层/保护层剥离SiC衬底，从而避免器件高温失效，提高了SiC功率器件的高温可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 终端 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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