[发明专利]利用硫掺杂硒化镓晶体产生高功率宽带太赫兹辐射的装置与方法在审
| 申请号： | 202310181834.6 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116088203A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李高芳;黄仁杰;夏能弘;崔昊杨;黄敬国;江林;黄志明;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 上海电力大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 201306 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用硫掺杂硒化镓晶体产生高功率宽带太赫兹辐射的装置与方法，该装置包括飞秒激光器、分束片、第一反射镜、第二反射镜、光学延迟线、机械斩波器、BBO倍频晶体、硫掺杂硒化镓晶体、太赫兹水平偏振片、碲化锌晶体、1/4波片、渥拉斯顿棱镜、平衡探测器与锁相放大器，所述第一反射镜与第二反射镜分别位于所述分束片所分出的两束光路上，所述机械斩波器、BBO倍频晶体、硫掺杂硒化镓晶体、太赫兹水平偏振片、碲化锌晶体、1/4波片、渥拉斯顿棱镜、平衡探测器与锁相放大器沿光路依次设置，在第一反射镜与碲化锌晶体之间还设有光学延迟线。与现有技术相比，本发明具有装置简单易操控、可在室温下操作、太赫兹辐射功率高且频带宽的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 掺杂 硒化镓 晶体 产生 功率 宽带 赫兹 辐射 装置 方法 | ||
【主权项】：
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