[发明专利]一种提高全钽电容器高频率特性的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202310182615.X | 申请日： | 2023-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN115881440B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 宁连才;刘爽 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G9/26 | 分类号： | H01G9/26;H01G9/042;H01G9/045;H01G9/035;H01G9/008;H01G9/08;H01G9/055;H01G9/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种提高全钽电容器高频率特性的结构及其制作方法，属于提高全钽电容器频率特性技术领域。针对全钽电容器的等效串联电阻（ESR）大，导致其高频特性差，快速充放电时发热严重，严重影响其工作寿命，本发明通过与全钽电容器共用阴极的方式，以上技术方案巧妙地将全钽电容器和固体铝电容结合到一起，充分利用了固体铝电容器的大容量，低ESR和高频特性好的特点，极大的提高了全钽电容器的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 钽电容 频率特性 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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