[发明专利]存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202310188392.8 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116247043A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杜雪珂;丁甲;张继伟 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H10B53/30;H10B63/10 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种存储器及其制造方法，所述存储器包括相对设置的第一金属结构与第二金属结构，以及形成于所述第一金属结构与所述第二金属结构之间的存储单元；所述存储单元具有开口朝向所述第二金属结构的沟槽结构，所述沟槽结构的底部与所述第一金属结构相接；所述存储器还包括连接结构，所述连接结构具有连接层、自所述连接层向所述第二金属结构延伸并与所述第二金属结构相接的连接部、以及自所述连接层向所述沟槽结构延伸并与所述沟槽结构的内壁相接的凸出部，所述沟槽结构的内壁轮廓与所述凸出部的轮廓相适配。通过将存储单元设计为3D结构，增加介电层的极化面积，提高了所述存储单元的极化电荷量，优化提升了所述存储器的运行效率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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