[发明专利]一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310189031.5 申请日: 2023-03-02
公开(公告)号: CN116283285A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 郭艳艳;张左;樊奕;胡海威 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷,该陶瓷的化学式为AgNbxTa0.1O0.5+2.5x,其中的x为摩尔百分比,x的取值满足电中性。本发明还公开一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷制备方法。本发明提供的一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法,通过在铌位掺杂10%Ta5+的基础上,减少Nb5+的含量,制备出的高储能铌酸银基陶瓷兼具高储能密度(6.1J/cm3)、高储能效率(62%)、高击穿电场(317kV/cm)、高极化强度(54μC/cm2)的优势,能够降低掺杂离子的掺杂量,减少材料浪费,同时能够显著提高反铁电陶瓷储能性能。
搜索关键词: 一种 缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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