[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310189133.7 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116895639A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 金银贞;金智勋;李宪周 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底，其具有单元区和外围区；晶体管，其在衬底之上在外围区中；下层间绝缘层，其在晶体管之间；在晶体管和下层间绝缘层之上的互连部和第一间隔物层；上层间绝缘层，其在互连部和第一间隔物层之上。第一间隔物层被设置在互连部之间。第一间隔物层包括第一下间隔物层和在第一下间隔物层之上的第一上间隔物层。第一下间隔物层和第一上间隔物层包括硅、硼和氮。第一下间隔物层的硼浓度与第一上间隔物层的硼浓度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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