[发明专利]高保持电压双极结器件在审
| 申请号： | 202310197258.4 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116895689A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | P·马哈詹 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及高保持电压双极结器件，所公开的半导体结构实施例包括被配置为具有高保持电压的双极结器件。所述器件包括基极、集电极和发射极端子。由于独特配置的发射极端子，实现了高保持电压。具体地，所述器件包括具有第一类型导电性的基极阱区。发射极端子包括邻近基极阱区(例如，在基极阱区内和/或在基极阱区上)的发射极接触区和辅助发射极区，所述发射极接触区具有第二类型导电性，所述辅助发射极区邻接所述发射极接触区并具有比所述基极阱区更高导电性水平的第一类型导电性。实施例根据发射极接触区和辅助发射极区的形状而变化。实施例还根据用于将集电极端子与发射极端子隔离的结构以及由硅化物层覆盖的区域而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 电压 双极结 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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