[发明专利]一种多功能半导体场效应晶体管测试电路与方法在审
| 申请号： | 202310198321.6 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116203373A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;冉浩然;赵智星;詹海峰;王自鑫 | 申请（专利权）人： | 中山大学;湖南炬神电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G06F17/10;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 刘艳霞 |
| 地址： | 423000 湖南省郴州市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多功能半导体场效应晶体管测试电路与方法，其中多功能半导体场效应晶体管测试电路包括：动态特性测量装置，用于对待测器件进行测试模式的控制与切换；所述动态特性测量装置包括：控制信号输出电路、多功能测试电路以及钳位电路；数据采集装置，用于采集待测器件的电学参数数据，所述电学参数数据包括：电压和电流。本发明同时具备测量半导体场效应晶体管的正向导通特性和逆向导通特性，克服了现有的半导体测量装置中测量功能较为单一，不同时具备测量器件正向特性和逆向特性能力的问题，有利于节省元器件数量，简化操作流程，提高测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多功能 半导体 场效应 晶体管 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
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