[发明专利]塞孔结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202310198666.1 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116437570A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈先明;林文健;徐小伟;黄本霞;黄高 | 申请（专利权）人： | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K1/11;H05K3/40 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 林灿伟 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种塞孔结构及其制作方法，涉及半导体封装技术领域。塞孔结构的制作方法包括以下步骤：对双面覆铜板进行钻孔，形成贯穿双面覆铜板上下表面的层间导通孔；在层间导通孔的孔壁及双面覆铜板的表面制作第一种子层，并在第一种子层的表面电镀形成铜层；在层间导通孔的内部填充树脂，使树脂与铜层的表面齐平；保留层间导通孔周侧的预定区域内的铜层和第一种子层，形成孔环，将其余位置的铜层、第一种子层及双面覆铜板表面的铜箔蚀刻掉；在双面覆铜板的表面制作第一线路，使第一线路与孔环电性连接。根据本发明实施例的塞孔结构的制作方法，无需经过两次电镀后再制作线路，能够适用于更精细的线路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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