[发明专利]图像传感器及其制备方法有效
申请号: | 202310201447.4 | 申请日: | 2023-03-06 |
公开(公告)号: | CN116053289B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 宋玉涛;林豫立;刘哲儒 | 申请(专利权)人: | 合肥新晶集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种图像传感器及其制备方法,包括:衬底,包括相对的第一表面和第二表面,所述衬底内间隔设置有多个像素区,所述衬底具有第一导电类型;第一沟槽,位于相邻所述像素区之间,自所述第一表面延伸至所述衬底内;光电二极管,位于所述像素区内,且靠近所述第一表面一侧;第二沟槽,位于相邻所述像素区之间,自所述第二表面延伸至所述衬底内;第一掺杂区和第二掺杂区,间隔设置于所述衬底内,且围绕所述第二沟槽,所述第一掺杂区具有第一导电类型,所述第二掺杂区具有第二导电类型。通过间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区,使得空穴被吸引,而电子流向相应的光电二极管,从而减缓电荷串扰现象发生,提高了图像传感器生成图像的质量。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的