[发明专利]一种垂直型氮化镓LED的三色芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 202310207451.1 申请日: 2023-02-24
公开(公告)号: CN116093222A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 刘新科;蒋忠伟;林锦沛;杨永凯;贺威;方明;黎晓华;钟泽;黄双武 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/08;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/50
代理公司: 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 代理人: 张文凯
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种垂直型氮化镓LED的三色芯片,包括:重掺杂氮化镓自支撑衬底的正面依次沉积有n型氮化镓外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型氮化镓外延层,重掺杂氮化镓自支撑衬底的背面沉积有背面N‑type接触电极;p型氮化镓外延层的一侧区域覆盖单晶MoS2形成红光发射区,另一侧区域覆盖钙钛矿量子点薄膜形成绿光发射区域,在红光发射区和绿光发射区的中间区域沉积顶部+P‑type接触电极。本发明同质外延几乎不存在晶格失配等障碍,降低了缺陷密度,提高内量子效率;纵向垂直结构可以提高芯片空间上的使用率,提高Micro LED像素,可以大电流密度工作,降低芯片热效应;利用波长转换实现蓝光向红光、绿光的变换,很好的实现RGB三基色,避免了不同基色芯片的复杂剥离封装。
搜索关键词: 一种 垂直 氮化 led 三色 芯片 制备 方法
【主权项】:
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