[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制造方法在审
| 申请号： | 202310207459.8 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116084011A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 母凤文;郭超 | 申请（专利权）人： | 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/20;C30B19/12;C30B29/36;C30B31/22;C30B31/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 300451 天津市滨海新区滨海高新区塘沽海洋*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅复合衬底的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：在供体衬底表面的碳化硅单晶层中预埋弱化层；将碳化硅衬底与所述碳化硅单晶层进行键合连接；施加应力使所述碳化硅单晶层沿所述弱化层断裂，得到剩余供体衬底以及碳化硅复合衬底；所述碳化硅单晶层的缺陷密度小于所述碳化硅衬底的缺陷密度。所述碳化硅复合衬底中碳化硅单晶层的BPD缺陷密度为0，所述制造方法可以减少高质量碳化硅供给衬底的浪费情况，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 复合 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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