[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310208037.2 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116525441A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄启铭;刘骏逸;林侑立;吕志伦;潘承纬;廖志腾 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例提供了在其中填充替换栅电极层之前调节栅极开口的侧壁轮廓的工艺，使得在随后的栅电极回蚀刻工艺期间提高蚀刻速率均匀性和稳定性。具体地，将牺牲栅电极的轮廓调整为更直的轮廓而不是碗型轮廓，这减少了在替换栅极工艺期间在替换栅电极中产生的接缝空隙。在一些实施例中，调节栅极开口的轮廓进一步包括在沉积栅极介电层和功函金属层之前执行侧壁间隔件的回拉蚀刻工艺，从而在替换栅极工艺中实现用于金属栅极填充的更宽开口。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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